美高梅簡介

    美高梅4686高等研究院是美高梅4686新成立的一個包含本科與研究生培養、側重跨學科教學與研究的校內綜合辦學單位。作為美高梅4686內部探索全面改革創新的學術特區,高等研究院與香港和海外著名高校合作,借鑒國外研究型大學通行的管理模式,引進具有一流視野的資深教授和發展潛力的青年教師,營造與國際接軌的學術氛圍和培養環境,開展卓越的教學、研究和管理工作。 ······

研究生課程

周 曄

??博士,研究員

?聯系方式:[email protected]

?通訊地址:深圳市南山區南海大道3688號美高梅4686辦公樓358室, 518060


?周曄,研究員,博士生導師。本科畢業于南京大學(2008),博士畢業于香港城市大學(2013),博士期間曾獲香港城市大學博士生最高榮譽-周亦卿獎,2013年至2014年任職香港城市大學超金剛石與先進薄膜研究中心博士后研究員(Postdoctoral Fellow),2014年至2015年任職香港城市大學電子工程系資深研究員(Senior Research Fellow),2015年加入美高梅4686高等研究院任職研究員。他的研究興趣包括基于功能材料的信息存儲與傳感,在Science(2篇)、 Chem. Rev.、Nat. Electron.、Nat. Commun.、Adv. Mater.(10篇)、Mater. Today、Nano Lett.、Adv. Funct. Mater.(8篇)、Mater. Horiz.(2篇)、Nano Energy(6篇)、ACS Nano、Small(6篇)等權威期刊發表高水平論文近120篇,其中封面/卷首文章40余篇,被Nature、Science正刊、子刊等期刊引用3100余次, H-因子30,獲授權中國與美國發明專利13項。曾入選廣東省特支計劃科技創新青年拔尖人才、深圳市“孔雀計劃”海外高層次人才、南山區領航人才、深大荔園優秀青年學者,長期擔任Science、Nature、ACS、Wiley、RSC、IOP、IEEE、Elsevier旗下期刊審稿人,被評為科睿唯安2018年頂級審稿專家。他兼任SCI期刊STAM (日本國立材料科學研究所)、 Applied Nanoscience (Springer Nature)以及IEEE ACCESS(國際電氣電子工程師學會)Associate Editor,曾任Frontiers in Chemistry、Polymer International (國際化工協會)、Frontiers in Physics客座編輯,目前擔任Materials Horizons(英國皇家化學會)青年顧問委員會委員、Chemistry創刊編委、PLOS ONE編委、 Multifunctional Materials(英國物理學會)青年編委。


?教育背景

2013年,香港城市大學,物理與材料科學,博士

2009年,香港科技大學,電子工程,碩士

2008年,南京大學,電子信息科學與技術,學士


?工作經歷

2015年6月至今,美高梅4686高等研究院研究員

2013年8月 至 2015年5月,香港城市大學物理與材料科學系以及電子工程系,歷任博士后、研究員、資深研究員

2009年6月 至 2009年8月,香港城市大學物理與材料科學系,助理研究員


?代表性論文 (2018-2020)

24. Y. Zhou and S.-T. Han,* Room-temperature magnetoelastic coupling, Science 2020, 367, 627.

23. L. Guo, S.-T. Han* and Y. Zhou,* Electromechanical Coupling Effects for Data Storage and Synaptic Devices, Nano Energy 2020, in press.

22. Y. Zhou,* Making allowances for COVID-19, Science 2020, 368, 98.

21. Z. Lv, Y. Wang, J. Chen, J. Wang, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Semiconductor Quantum Dots for Memories and Neuromorphic Computing Systems, Chem. Rev.  2020, 120, 3941.

20. Y. Zhou,* The Samsung story, Nat. Electron. 2020, 3, 234.

19. Z.-P. Wang, Y. Wang, J. Yu, J.-Q. Yang, Y. Zhou,* J.-Y. Mao, R. Wang, X. Zhao, W. Zheng and S.-T. Han,* Type-I Core–Shell ZnSe/ZnS Quantum Dot-Based Resistive Switching for Implementing Algorithm, Nano Lett. 2020, 20, 5562.

18. K. Zhou, C. Zhang, Z. Xiong, H.-Y. Chen, T. Li, G. Ding, B. Yang, Q. Liao, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Template-Directed Growth of Hierarchical MOF Hybrid Arrays for Tactile Sensor, Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 2001296.

17. J. Wang, Z. Lv, X. Xing, X. Li, Y. Wang, M. Chen, G. Pang, F. Qian, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Optically Modulated Threshold Switching in Core-Shell Quantum Dot Based Memristive Device, Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 1909114.

16. J.-Q. Yang, R. Wang, Z.-P. Wang, Q.-Y. Ma, J.-Y. Mao, Y. Ren, X. Yang, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Leaky Integrate-and-Fire Neurons based on Perovskite Memristor for Spiking Neural Networks, Nano Energy 2020, 74, 104828.

15. Y. Ren, X. Yang, L. Zhou, J.-Y. Mao, S.-T. Han* and Y. Zhou,* Recent Advances in Ambipolar Transistors for Functional Applications, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1902105.

14. C. Zhang, W. B. Ye, K. Zhou, H.-Y. Chen, J.-Q. Yang, G. Ding, X. Chen, Y. Zhou,* L. Zhou, F. Li and S.-T. Han,* Bio-inspired Artificial Sensory Nerve based on Nafion Memristor, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1808783.

13. G. Ding, Y. Wang, G. Zhang, K. Zhou, K. Zeng, Z. Li, Y. Zhou,* C. Zhang, X. Chen and  S.-T. Han,* 2D Metal-Organic Framework Nanosheets with Time-Dependent and Multi-Level Memristive Switching, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1806637.

12. Z. Lv, M. Chen, F. Qian, V. A. L. Roy,* W. Ye, D. She, Y. Wang, Z.-X. Xu, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Mimicking Neuroplasticity in a Hybrid Biopolymer Transistor by Dual Modes Modulation, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1902374.

11.X. Chen, K. Zeng, X. Zhu, G. Ding, T. Zou, C. Zhang, K. Zhou, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Light Driven Active Transition of Switching Modes in Homogeneous Oxides/Graphene Heterostructure, Adv. Sci. 2019, 6, 1900213.

10.L. Zhou, S. Yang, G. Ding,* J.-Q. Yang, Y. Ren, S.-R. Zhang, J.-Y. Mao, Y. Yang, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Tunable Synaptic Behavior Realized in C3N Composite based Memristor, Nano Energy 2019, 58, 293.

9.H. Li, X. Jiang, W. Ye, H. Zhang, L. Zhou, F. Zhang, D. She, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Fully Photon Modulated Heterostructure for Neuromorphic Computing, Nano Energy 2019, 65, 104000.

8. Z. Lv, Y. Zhou,* S.-T. Han* and V. A. L. Roy,* From biomaterials-based data storage to bio-inspired artificial synapse, Mater. Today 2018, 21, 537.

7. Y. Zhai, X. Yang, F. Wang,* Z. Li, G. Ding, Z. Qiu, Y. Wang, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Infrared‐Sensitive Memory Based on Direct‐Grown MoS2–Upconversion‐Nanoparticle Heterostructure, Adv. Mater. 2018, 30, 1803563.

6. Y. Wang, Z. Lv, Q. Liao, H. Shan, J. Chen, Y. Zhou,* L. Zhou, X. Chen, V. A. L. Roy,* Z. Wang, Z. Xu, Y.-J. Zeng and S.-T. Han,* Synergies of Electrochemical Metallization and Valance Change in All‐Inorganic Perovskite Quantum Dots for Resistive Switching, Adv. Mater. 2018, 30, 1800327.

5. Y. Wang, Z. Lv, J. Chen, Z. Wang, Y. Zhou,* L. Zhou, X. Chen and S.-T. Han*, Photonic Synapses Based on Inorganic Perovskite Quantum Dots for Neuromorphic Computing, Adv. Mater. 2018, 30, 1802883.

4. X. Chen, Y. Zhou,* V. A. L. Roy* and S.-T. Han,* Evolutionary Metal Oxide Clusters for Novel Applications: Toward High-Density Data Storage in Nonvolatile Memories, Adv. Mater. 2018, 30, 1703950.

3. Y. Ren, J.-Q. Yang, L. Zhou, J.-Y. Mao, S.-R. Zhang, Y. Zhou* and S.-T. Han*, Gate‐Tunable Synaptic Plasticity through Controlled Polarity of Charge Trapping in Fullerene Composites, Adv. Funct. Mater. 2018, 28, 1805599.

2. Y. Zhai, J.-Q. Yang, Y. Zhou,* J.-Y. Mao, Y. Ren, V. A. L. Roy* and S. -T. Han*, Toward non-volatile photonic memories: Concept, material and design, Mater. Horiz. 2018, 5, 641.

1. Z. Lv, Y. Wang, Z. Chen, L. Sun, J. Wang, M. Chen, Z. Xu, Q. Liao, L. Zhou, X. Chen, J. Li, K. Zhou, Y. Zhou,* Y.-J. Zeng, S.-T. Han* and V. A. L. Roy,* Photo-Tunable Biomemory based on Light-Mediated Charge Trap, Adv. Sci. 2018, 5, 1800714.

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